PECVD法玻璃容器内壁沉积SiO2薄膜的SEM表征

材料科学与工程学报, 2015, 33(5): 666-670. doi: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.009

PECVD法玻璃容器内壁沉积SiO2薄膜的SEM表征

朱恒伟 ^1, , 李文杰 ^2, , 张金云 ^3, , 叶欢 ^4, , 陈国安 ^5, , 吕斌 ^6, , 吕建国 ^7,

1.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027

2.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027

3.宁波正力药品包装有限公司,浙江宁波,315033

4.宁波正力药品包装有限公司,浙江宁波,315033

5.宁波正力药品包装有限公司,浙江宁波,315033

6.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027

7.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027

基金项目: 浙江省宁波市重大攻关资助项目(51002131)

关键词： PECVD , 玻璃容器 , 内壁镀膜 , SiO2薄膜 , SEM表征

SEM Research of SiO2 Thin Film on Inner Wall of Glass Container by PECVD

Keywords： PECVD , glass container , coating on inner wall , SiO2 thin film , SEM analysis

采用自主研制的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)专用设备,在玻璃容器内壁沉积SiO2薄膜,用作阻隔涂层.通过设计沉积工艺,在不同的气体流量比例、工作气压和生长时间等生长条件下制备出SiO2薄膜;通过扫描电子显微镜(SEM)测试表征薄膜的形貌和结构,评价薄膜的性能.根据表征结果分析了各种工艺参数对薄膜性能的影响,获得了较为优化的工艺参数,在玻璃容器内壁制备出较高质量的SiO2薄膜.

参考文献

[1]	王建清.SiOx镀膜包装材料的开发及发展[J].塑料包装,2002(02):20-23.
[2]	崇政,韩永生.氧化硅薄膜包装材料及加工技术的现状及发展[J].塑料包装,2010(03):28-30.
[3]	Rodriguez J A;Dominguez C;Munoz F J.Mechanical properties of PECVD silicon oxide films suitable for integrated optics applications[M].San Jose:SPIE,2000:142-149.
[4]	Alayo M I;Pereyra I;Carreno .Thick SiOxNy and SiO2 films obtained by PECVD technique at low temperatures[J].THIN SOLID FILMS,1998,332(1-2):40-45.
[5]	Li Boquan;Kojima Isao;Fujimoto Toshiyuki .Structural characterization of radiofrequency magnetron sputter deposited SiO2 thin films[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,1999(12):1287-1292.
[6]	叶光,林志贤,郭太良.射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨[J].龙岩师专学报,2002(06):44-45,48.
[7]	曾其勇,郑晓峰.SiO2薄膜制备的现行方法综述[J].真空,2009(04):36-40.
[8]	娄垚 .PLD低温制备富硅SiO2薄膜及其应用[D].杭州:杭州电子科技大学,2010.
[9]	林江,张溪文,韩高荣.大气压非平衡等离子体沉积氧化硅薄膜[J].材料科学与工程学报,2012(02):241-244,266.
[10]	姚兰芳,解德滨,肖轶群,沈军,吴广明,王珏.疏水型纳米SiO2增透薄膜的制备与性能研究[J].材料科学与工程学报,2004(04):502-504.
[11]	李桂琴,陆利新,王成刚.PECVD反应室的气流场模拟分析[J].真空,2012(03):42-46.
[12]	陶俊,吴晓松.QFD在PECVD镀膜设备中的应用[J].科技致富向导,2012(18):81-82,108.
[13]	安其.等离子体增强化学气相沉积设备的研制[J].真空,2012(01):52-56.
[14]	Kim D J;Hwang J Y;Kim T J et al.Effect of N2O-SiH4 flow ratio on properties of SiOx thin films deposited by lowtemperature remote plasma-enhanced chemical deposition[J].Surface and Coatings Technology,2007,201:5354-5357.
[15]	Rodriguez JA.;Dominguez C.;Llobera A. .Evolution of the mechanical stress on PECVD silicon oxide films under thermal processing[J].Journal of Materials Science Letters,2000(16):1399-1401.
[16]	Liehr M;Cohen S A .Low-pressure chemical vapor-deposition of oxide from SiH4/O2-chemistry and effects on electrical properties[J].Applied Physics Letters,1992,60(2):198-200.
[17]	Tinck S;Bogaerts A .Modeling SiH4/O2/Ar inductively coupled plasmas used for filling of microtrenches in shallow trench isolation (STI)[J].Plasma Processes and Polymers,2012,9(5):522-539.
[18]	孟建兵 .大气常压等离子体弧清洗理论与关键技术研究[D].大连理工大学,2009.
[19]	龙乐.等离子体清洗及其在电子封装中的应用[J].电子与封装,2008(04):12-15.
[20]	聂磊,蔡坚,贾松良,王水弟.微电子封装中等离子体清洗及其应用[J].半导体技术,2004(12):30-34.
[21]	陈乐,谢敏,金璐,王锋,杨德仁.硅含量对SiOx薄膜光学和电学性能的影响[J].材料科学与工程学报,2013(05):651-654.
[22]	何智兵,吴卫东,唐永建,程丙勋,许华.不同氧氩比例对氧化硅（SiO2）薄膜的结构及性能的影响[J].材料科学与工程学报,2007(02):169-171,178.
[23]	Lans(a)ker P C et al.Thin sputter deposited gold films on In2O3:Sn,SnO2:In,TiO2 and glass:optical,electrical and structural effects[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2013,117(0):462-470.

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